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APTC60VDAM45T1G相关型号
热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • APTC60VDAM45T1G

  • 制造商：Microchip Technology
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装托盘
  • 系列CoolMOS™
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能超级结
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）49A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）45 毫欧 @ 24.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.9V @ 3mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）150nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值250W
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP1
  • 供应商器件封装SP1

其它信息

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